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首页>IC芯片>FH101-G

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产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    fh101-g

  • 功能描述

    射频MOSFET小信号晶体管 50-4000MHz +18dBm P1dB

  • RoHS

    否

  • 制造商

    NXP Semiconductors

  • 配置

    Dual Dual Gate

  • 晶体管极性

    N-Channel 电阻汲极/源极

  • 汲极/源极击穿电压

    6 V

  • 闸/源击穿电压

    6 V

  • 漏极连续电流

    30 mA

  • 功率耗散

    180 mW

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SC-88

  • 封装

    Reel

规格书PDF

  • 芯片型号：

    FH101-G

  • PDF资料下载：

    下载资料

  • 原厂全称：

    WJ Communication. Inc.

  • 原厂简称：

    WJCI

  • 页数：

    4

  • 文件大小：

    177 kb

  • 说明：

    High Dynamic Range FET

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WJ Communication. Inc.

国内业务:深圳市福田区华强北宝华大厦A座808,国际业务:深圳市福田区华强北路赛格广场3510A室(微信号:sz8910)

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